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燒結溫度對碳化硅陶瓷的影響

2018-08-11

碳化硅陶瓷是由反應燒結而成,燒結溫度對碳化硅陶瓷的產品質量至關重要,下面為大家介紹下燒結溫度對碳化硅陶瓷的影響。

1)燒結溫度與碳化硅陶瓷的致密程度及力學性能緊密相關。在試驗條件下,燒結溫度在2160~2220℃區間,碳化硅陶瓷燒結體相對密度超過96%,可以參照上述試驗溫度范圍制定碳化硅陶瓷生產的工藝控制溫度。

2)在試驗條件下,燒結溫度為2220℃時燒結體的密度最高, 達到相對密度98%; 抗彎強度39913MPa,維氏硬度2318GPa也是最大值??箯潖姸入S密度變化的關系近似為線性關系。維氏硬度值隨溫度的變化趨勢與抗彎強度的變化趨勢相仿,但波動范圍較小。

3)XRD檢測結果表明,燒結體的XRD 掃描譜線與原料粉體的譜線符合程度較高,說明燒結過程中沒有相轉化發生,這和原料粉體以α2SiC為主的微粉是吻合的。但250℃高溫下燒結的制品幾條主要譜線的強度發生較大的變化,估計與晶粒長大有關,需要進一步探討。

4)斷口形貌SEM照片顯示出,燒結溫度偏低時燒結體的孔隙較多,密度較低;合適的燒結溫度下晶粒開始略有長大,燒結體致密度較高;過高的燒結溫度引起晶粒異常長大,反而結構疏松,密度下降。對于密度以及抗彎強度和硬度數值,最佳燒結溫度是一致的,最佳溫度點在2200℃附近。

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