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碳化硅陶瓷的制備方法

2018-08-11

碳化硅陶瓷的制備方法也不是什么秘密,基本行業當中都很清楚,只是各廠商再制備過程中的工藝控制不太相同,下面為大家介紹下碳化硅陶瓷的制備方法。

(1)熱壓碳化硅陶瓷

雖然在2000度以上的溫度和350MPa以上的壓力可以使純SIC熱壓致密,但是通常還是采用加入添加劑的方法。熱壓添加劑有兩類:一類與碳化硅中的雜質形成液相,通過液相促進燒結;一類是與SiC形成固溶體降低晶界能促進燒結。

(2)常壓碳化硅陶瓷

常壓燒結碳化硅也命名為無壓燒結碳化硅,在燒結到2100度以上的溫度下,生成高純度、高致密的碳化硅陶瓷。

(3)反應碳化硅陶瓷

反應燒結碳化硅又稱為自結合SIC。將碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合壓成坯體塊,加熱到1650度左右,通過氣相與C反應生成。

以上就是對碳化硅陶瓷的制備方法的介紹,更多有關碳化硅陶瓷的內容請繼續瀏覽www.rizhaof.com

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